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      320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

      320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器,此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術,尤其是在非制冷條件下的優化解決方案,CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCD與CMOS數碼相機銷售商的機械設計。
      產品時間:2022-11-02
      訪問量:3300

      LD-FPA-320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

      320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

      InGaAs短波焦平面探測器產品應用在近紅外成像和光譜技術成像上,包括非制冷型(無TEC)和制冷型(TEC)型。產品應用穩定成熟的工藝,并已實現量產。該產品選用常規封裝,便于CCD與CMOS相機集成商的機械設備;集成嵌入式TEC進一步提高了探測器的靈敏度,并通過密閉金屬封裝來實現其高可靠性。

      產品型號

      InGaAs面陣探測器的響應波段為900-1700nm/2200nm,目前可提供320x256640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合,同時采用LCCKovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。


      型號

      FPA-320×256-C

      FPA-320×256-K-TE1/TE2

      FPA-320×256-K-2.2-TE2

      材料

      InGaAs

      InGaAs

      InGaAs

      響應波段

      0.9um-1.7um

      0.9um-1.7um

      1.2um-2.2um

      圖像分辨率

      320×256

      320×256

      320×256

      像元尺寸

      30um

      30um

      30um

      靶面尺寸

      9.6mm×7.68mm

      9.6mm×7.68mm

      9.6mm×7.68mm

      封裝

      44-pin CLCC

      28-pin MDIP

      28-pin MDIP

      重量

      1.6g

      24.6g/25.6g

      24.6g

      有效像元率

      >99.5%

      >99%

      >97%

      暗電流

      <0.4pA

      ≤0.4pA

      ≤10pA

      量子效率

      70%

      70%

      70%

      填充率

      99%

      99%

      99%

      串擾

      1%

      1%

      /

      探測率

      ≥5×1012J

      ≥5×1012J (TE1)

      7.5×1012J(TE2)

      1012J

      響應非均勻性

      10%

      10%

      ≤40%

      非線性(最大偏差)

      ≤2%

      ≤2%

      ≤2%

      最大像素率

      10MHz

      10MHz

      10MHz

      增益

      High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-

      High:13.3uV/e-

      Low:0.7 uV/e-

      High:13.3uV/e-

      Low:0.7 uV/e-

      滿阱容量

      High:170Ke- Low:3.5Me-

      High:170Ke- Low:3.5Me-

      High:170Ke- Low:3.5Me-

      TEC 制冷

      TE1/TE2

      TE1/TE2

      工作溫度

      -20℃—85℃

      -20℃—85℃

      -20℃—85℃

      儲存溫度

      -40℃—85℃

      -40℃—85℃

      -40℃—85℃

      功耗

      175mw

      175mw**

      175mw**





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